在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強,因此分離的可能性比較低。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
四氟化碳在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產生有毒氟化物。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學性質穩定,高純四氟化碳是一種高純電子氣體,在電子產業中需求量大。電子四氟化碳是目前半導體行業主要的等離子體蝕刻氣體之一,在硅、二氧化硅、金屬硅化物以及某些金屬的蝕刻,以及低溫制冷、電子器件表面清洗等方面被廣泛應用。而電子特氣系統為它保駕護航,保證四氟化碳(CF4)的純度和安全穩定使用。隨著手機、相機、太陽能電池等消費電子產品的需求量不斷攀升,高純度四氟化碳將成為四氟化碳行業的主要增長動力。
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